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济南济南d)MoS2/FNS/FeNi箔的Fe2pXPS光谱。选择b)MoS2/FNS/FeNi材料的S2pXPS光谱。

才大才领d)204mV时MoS2/FNS/FeNi泡沫和251mV时MoS2/FNS/FeNi箔的计时曲线。【成果简介】近日，礼包上海交通大学邬剑波研究员、礼包朱虹研究员(共同通讯作者)等制备FeNi衬底上垂直生长MoS2NS的同时获得了在MoS2界面处原位生长Fe5Ni4S8(FNS)，并在Adv.Mater.上发表了题为CouplingInterfaceConstructionsofMoS2/Fe5Ni4S8HeterostructuresforEfficientElectrochemicalWaterSplitting的研究论文。为了促进两种分解水反应，发放最近的研究集中在各种方法上，包括整合高效HER材料和高效OER材料的优势、增加导电性、提高表面积等。

【小结】综上所述，周超作者通过改变CVD的反应条件成功合成了在FNS/FeNi泡沫和其他基底上生长的且具有可控排列的垂直MoS2阵列。图3MoS2/FNS/FeNi系列材料的电催化HER性能a)1MKOH中，到畅MoS2/FNS/FeNi泡沫、FNS/FeNi泡沫、FeNi泡沫和MoS2/FTO的极化曲线。

因此，游游上述优势使得MoS2/FNS/FeNi泡沫作为一种前景良好的分解水材料，游游其具有合成方法简单、资源廉价和性能优越等特点，为寻找便宜、高效、清洁的分解水电极提供了有益的参考。

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